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氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能

何邕 , 李效民 , 高相东 , 冷雪 , 王炜

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.11299

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上, 制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜. 研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响. 结果表明, 通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子, 可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构. 未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18 μC/cm2, 通过采用氧等离子体辅助, 其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38 μC/cm2.  

关键词: 脉冲激光沉积法 , PMN-PT thin films , microstructure , electrical properties

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